Seoul, Korea - January 29, 2009
Samsung Electronics Co. Ltd, являющийся мировым лидером передовых технологий памяти , объявила сегодня о том, что она добилась значительных успехов в увеличении объема памяти микросхем и разработала первые в мире 4 гигабайтные DDR3 DRAM чипы с использованием 50 нанометровой технологии.
4 гигабайтный модуль DDR3 DRAM потребляет всего лишь 1.35 вольт, что обеспечивает повышение пропускной способности на 20% по сравнению 1.5 вольтовой DDR3. Ее максимальная скорость составляет 1,6 гигабит в секунду.
В 16ти гигабайтной конфигурации, составленной из из модулей 4Gb DDR3 потребление энергии на 40% меньше, чем 2Gb DDR3 .
На страницах своего сайта Samsung Electronics Co. Ltd подчеркивает экономическую выгодность применения этих линеек памяти для всех видов компьютеров. Которые должны обеспечить меньшее потребление энергии и ускорить вычислительные процессы в целом.
Комментариев нет:
Отправить комментарий